離子濺射鍍膜是電學樣品臺常用的一個方法，在部分真空的濺射室中輝光放電，產生正的氣體離子；在陰極（靶）和陽極（試樣）間電壓的加速作用下，荷正電的離子轟擊陰極表面，使陰極表面材料原子化；形成的中性原子，從各個方向濺出，射落到試樣的表面，于是在試樣表面上形成一層均勻的薄膜。對于任何待鍍材料，只要能做成靶材，就可實現濺射，濺射方法有四種：直流濺射、射頻濺射、磁控濺射、反應濺射。

　　1．直流濺射：已很少用，因為沉積速率太低，基片升溫，靶材需要導電，高的直流電壓，較高的氣壓。

　　2．射頻濺射：電子作振蕩運動，延長了路徑，不再需要高壓，可制備絕緣介質薄膜，負偏壓作用，使之類似直流濺射。

　　3．磁控濺射：以磁場改變電子運動方向，并束縛和延長電子的運動軌跡，提高了電子對工作氣體的電離幾率，有效利用了電子的能量。從而使正離子對靶材轟擊所引起的靶材濺射更加有效，可在較低的氣壓條件下進行濺射，同時受正交電磁場束縛的電子又約束在靶附近，只能在其能量耗盡時才能沉積的基片上。

　　4、反應濺射：在濺射氣體中加入少量的反應氣體如氮氣，氧氣，烷類等，使反應氣體與靶材原子一起在襯底上沉積，對一些不易找到塊材制成靶材的材料，或濺射過程中薄膜成分容易偏離靶材原成分的，都可利用此方法。